در سال 1959 دکتر فاينمن برنده جايزه نوبل يک سخنراني با عنوان «در آن پايين فضاي زيادي وجود دارد» نتيجه‌گيري کرد که هيچ دليل فيزيکي براي اينکه انسان نتواند اتم‌ها را دستکاري کند، وجود ندارد. با اين حال حتي اگر اين کار ممکن باشد، چگونه مي‌توانيم اين دست کاري را تشخيص دهيم؟

به گزارش سرويس فن‌آوري خبرگزاري دانشجويان ايران(ايسنا)، شرکت آي‌بي‌ام و Imago يک گام بزرگ در جهت محقق کردن پيش‌بيني دکتر فاينمن برداشته‌اند؛ بنا بر گزارش مجله Science، اين دو شرکت براي نخستين بار توانسته‌اند توزيع اتم‌هاي منفرد ناخالصي را در ابزارهاي نيمه‌هادي مشاهده کنند.

آنها از توموگرافي (تصويربرداري با اشعه ايکس) روبش اتمي براي کمي کردن موقعيت و هويت اتم‌هاي مجاور نقايص (بلوري) در سيليکون استفاده كردند. اين ناخالصي‌ها به شکلي يکنواخت در سيليکون وارد مي‌شدند و هميشه اميد بر اين بود که توزيع ناخالصي درون سيليکون به شکلي يکنواخت صورت بگيرد.

با اين حال محققان آي‌بي‌ام و Imago دريافتند که پس از وارد کردن يون‌ها و فرايند آنيلينگ، در اطراف نقايص موجود در سيليکون خوشه‌هايي از اتم‌هاي ناخالصي شکل مي‌گيرند.

به گزارش ايسنا از ستاد ويژه توسعه فن‌آوري نانو، تام کلي يکي از نويسندگان مقاله مجله Science و مدير اجرايي Imago مي‌گويد: «اين براي اولين بار است که اطلاعات سه‌بعدي کمي مشخصي از موقعيت دقيق اتم‌هاي ناخالصي نسبت به نقايص بلور به دست مي‌آيد.

توانايي دستگاه پروب اتمي LEAP 3000X Si که از ليزر کمک مي‌گيرد در به دست آوردن اين اطلاعات نتيجه سال‌ها کار دستگاهي و توسعه کاربردهاست؛ حال ما يک روش جديد قدرتمند براي روبش موقعيت دقيق اتم‌هاي ناخالصي در نيمه‌هادي‌ها در اختيار داريم».